En d'autres termes
Magnetic Random Access Memory
Définition
Technologie de mémoire vive utilisant les états magnétiques pour le stockage de l'information, dont l'étude a été lancée en 2000 par IBM et Infineon, et prévue à l'époque pour un lancement sur le marché en 2004.
Ces mémoires se caractérisent par une consommation électrique réduite par rapport aux mémoires dynamiques et statiques traditionnelles. Elles reposent sur les travaux d'IBM sur les jonctions magnétiques à effet tunnel. Voir GMR.
Des difficultés d'industrialisation rencontrées par la suite ont fait annoncer en 2004 lors de la présentation des premiers échantillons de puces 16 Mo par Infineon un lancement des premiers produits de masse en 2006 plutôt qu'en 2004 comme prévu initialement.
Début 2006, des questions demeuraient quant à l'opportunité économique de cette technologie, notamment face aux progrès des DRAM d'une part et des mémoires Flash d'autre part, mais le lancement en volume a finalement eu lieu en Juillet 2006 par Freescale, avec des puces à 35 ns de temps d'accès.
Epoque du terme
Depuis 2000
